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R6006ANX	文件：265.52 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
R6006ANX	文件：1.71948 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V6APowerMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
R6006JNJ	文件：2.22368 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V6APowerMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
R6006JNX	文件：2.21642 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V6APowerMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
R6006KNX	文件：296.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
R6006KNX	文件：2.06788 Mbytes Page：15 Pages	Nch600V6APowerMOSFET lFeatures 1)Lowon-resistance 2)Ultrafastswitching 3)Paralleluseiseasy 4)Pb-freeplating;RoHScompliant lApplication Switching	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
RJK6006DPD	文件：80.23 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features Lowon-stateresistance RDS(on)=1.4?typ.(atID=2.5A,VGS=10V,Ta=25oC) Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RJK6006DPD	文件：80.23 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RJK6006DPD	文件：1.43513 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
RN6006	文件：94.49 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess) MotorDriveCircuitApplications PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●Smallflatpackage ●PC=1~2W(mountedonceramicsubstrate) ●ComplementarytoRN50	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
RS6006MH	文件：420.72 Kbytes Page：5 Pages	SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIERVOLTAGERANGE400to1000VoltsCURRENT60Amperes FEATURES Lowleakage Lowforwardvoltage Surgeoverloadrating:500amperespeak Mountingposition:Any Idealforprintedcircuitboards Highforwardsurgecurrentcapability *Superiorthermalconductivity	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
S6006D	文件：222.45 Kbytes Page：12 Pages	SCRs GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Teccor Teccor Electronics	Teccor
S6006D	文件：212.84 Kbytes Page：12 Pages	SCRs(1Ato70A) GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
S6006D	文件：218.54 Kbytes Page：12 Pages	RoHSCompliant	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
S6006D	文件：218.54 Kbytes Page：12 Pages	RoHSCompliant GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
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S6006L	文件：1.60012 Mbytes Page：12 Pages	SCRs1-70AMPSNON-SENSITIVEGATE Features ●ElectricallyIsolatedPackages ●HighVoltageCapability-30-600Volts ●HighSurgeCapability-upto950Amps ●GlassPassivatedChip	Teccor Teccor Electronics	Teccor

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
R6006ANDTL
制造商：
ROHM Semiconductor
功能描述：
LOW CURRENT TYPE POWER MOSFETS OF HIGH-EFFICIENCY/HIGH BRE - Tape and Reel
功能描述：
NCH MOS
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 6A CPT
功能描述：
LO CURR HI EFF MOSFT HI BREAKDWN RESIST

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市華斯頓科技有限公司	R6006ANDTL	ROHM	22+23+	TO252	33563	絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
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更多R6006ANDTL供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-8 16:50:00

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