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ESJC50F10

Highspeedswitching

GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD

格特電子廣州市格特電子有限公司

ESJC50F10

Highvoltagesiliconrectifierdiodes

GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD

格特電子廣州市格特電子有限公司

EVD50F10ZES

MILITARYQUALITYREMOVABLECONTACT,SUBMINIATURE-DCONNECTORS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

P50F10SN

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

P50F10SN

PowerMOSFET

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新電元工業(yè)株式會社

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更多R50F10BGGLFB供應(yīng)商 更新時間2024-11-17 11:10:00

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