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GT25G102

DiscreteIGBTs

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT25G102

NCHANNELIGBT(STROBEFLASHAPPLICATIONS)

DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT25G102SM

NCHANNELIGBT(STROBEFLASHAPPLICATIONS)

STROBEFLASHAPPLICATIONS ●HighInputImpedance ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=8V(Max.)(IC=150A) ●Enhancement?Mode ●12VGateDrive

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
RGA
2021+
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一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨
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一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
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全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
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全新原裝現(xiàn)貨 樣品可售
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更多R25G102JT供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-1 15:00:00

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