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R1LV0816ABG-7SI#B0 集成電路(IC)存儲器 NEC/瑞薩
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
R1LV0816ABG-7SI#B0
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
- 包裝:
托盤
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM
- 存儲容量:
8Mb(512K x 16)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
70ns
- 電壓 - 供電:
2.4V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
48-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
48-TFBGA(7.5x8.5)
- 描述:
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48FBGA
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市斌騰達科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
趙小姐
- 手機:
13049883113
- 詢價:
- 電話:
0755-82815082
- 傳真:
0755-82815039
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)501棟518
相近型號
- R1LV0816ASA5SI#B0
- R1LV0816ABG5SI#S0
- R1LV0816ASA-5SI#B0
- R1LV0816ABG-5SI#BY
- R1LV0816ASA5SI#S0
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- R1LV0808ABG-5SI#B0
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- R1LV0816ASB-5SK
- R1LV0816ASB-5SK#B0
- R1LV0416DSD-5SK#S0
- R1LV0816ASB-5SKIC
- R1LV0416DSD-5SK#B0IC
- R1LV0816ASB-7SI
- R1LV0416DSD-5SK#B0
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- R1LV0416DSD-5SK