R1LV0808ASB-7SI#B0_集成電路(IC) 存儲器-Renesas Electronics America Inc

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  • 廠家型號:

    R1LV0808ASB-7SI#B0

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 庫存數量:

    0

  • 類別:

    集成電路(IC) 存儲器

  • 封裝外殼:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

  • 包裝:

    托盤

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 更新時間:

    2024-12-24 10:01:00

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原廠料號:R1LV0808ASB-7SI#B0品牌:Renesas Electronics America Inc

資料說明:IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

R1LV0808ASB-7SI#B0是集成電路(IC) > 存儲器。制造商Renesas Electronics America Inc生產封裝44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)的R1LV0808ASB-7SI#B0存儲器存儲器是集成電路上用作數據存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號:

    r1lv0808asb-7si%23b0

  • 規(guī)格書:

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  • 資料說明:

    IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號:

    R1LV0808ASB-7SI#B0

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術:

    SRAM

  • 存儲容量:

    8Mb(1M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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