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PZM6.8NB1

Voltage regulator diodes

DESCRIPTION LowpowergeneralpurposevoltageregulatordiodeinaSOT346(SC59)plasticpackage,suitableforsurface mounteddesign. FEATURES ?Totalpowerdissipation:max.300mW ?Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign ?Wideworkingvoltagerange:nom.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PZM6.8NB1,115

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 類別:分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 齊納 - 單 描述:DIODE ZENER 6.8V 300MW SMT3

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

HZM6.8NB1

SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HZM6.8NB1

SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer

Features ?Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. ?MPAKPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HZS6.8NB1

SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    PZM6.8NB1

  • 功能描述:

    穩(wěn)壓二極管 DIODE ZENER TAPE-7

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 齊納電壓:

    12 V

  • 電壓容差:

    5 %

  • 電壓溫度系數(shù):

    0.075 %/K

  • 功率耗散:

    3 W

  • 最大反向漏泄電流:

    3 uA

  • 最大齊納阻抗:

    7 Ohms

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    DO-214AC

  • 封裝:

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多PZM6.8NB1供應商 更新時間2025-1-8 17:15:00