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PXAD214218FV

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz

Description ThePXAD214218FVisa430-watt(P3dB)LDMOSFETwithanasymmetrical designintendedforuseinmulti-standardcellularpoweramplifier applicationsinthe2110to2170MHzfrequencyband.Features includedual-pathdesign,inputandoutputmatching,highgainand thermally-enhanc

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

PXAD214218FV

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PXAD214218FV

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

CreeCree, Inc

科銳

PXAD214218FV-V1-R0

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz

Description ThePXAD214218FVisa430-watt(P3dB)LDMOSFETwithanasymmetrical designintendedforuseinmulti-standardcellularpoweramplifier applicationsinthe2110to2170MHzfrequencyband.Features includedual-pathdesign,inputandoutputmatching,highgainand thermally-enhanc

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

PXAD214218FV-V1-R2

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz

Description ThePXAD214218FVisa430-watt(P3dB)LDMOSFETwithanasymmetrical designintendedforuseinmulti-standardcellularpoweramplifier applicationsinthe2110to2170MHzfrequencyband.Features includedual-pathdesign,inputandoutputmatching,highgainand thermally-enhanc

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

PXAD214218FV-V1-R0

Package:H-37275G-6/2;包裝:卷帶(TR) 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:IC AMP RF LDMOS H-37275G-6

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

PXAD214218FV-V1-R2

Package:H-37275G-6/2;包裝:卷帶(TR) 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:IC AMP RF LDMOS H-37275G-6

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon
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Cree/Wolfspeed
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
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原裝原裝原裝
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30000
原裝現(xiàn)貨,支持實(shí)單
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只做原裝,假一罰十價(jià)格低。
詢(xún)價(jià)
更多PXAD214218FV供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-4 10:18:00