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PTVA101K02EV分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
PTVA101K02EV |
參數(shù)屬性 | PTVA101K02EV 封裝/外殼為H-36275-4;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET1000 W, 50 V, 1030 / 1090 MHz |
封裝外殼 | H-36275-4 |
文件大小 |
359.03 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Cree, Inc |
企業(yè)簡稱 |
Cree【科銳】 |
中文名稱 | 科銳官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-22 15:08:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
PTVA101K02EVV1XWSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
LDMOS(雙)
- 頻率:
1.03GHz ~ 1.09GHz
- 增益:
17.5dB
- 功率 - 輸出:
950W
- 封裝/外殼:
H-36275-4
- 供應商器件封裝:
H-36275-4
- 描述:
IC AMP RF LDMOS
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
2019+ |
SMD |
6992 |
原廠渠道 可含稅出貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
- |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
H-36275-4 |
22+ |
56000 |
全新原裝進口,假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
Infineon Technologies |
22+ |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | |||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
415 |
現(xiàn)貨供應 |
詢價 | |||
Infineon Technologies |
21+ |
- |
20000 |
100%進口原裝!長期供應!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)! |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
2022+ |
NA |
57550 |
詢價 | |||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
11200 |
原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價 |