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PTR30120CTI	文件：774.79 Kbytes Page：7 Pages	30A 120V HPTR Schottky Rectifier	PFC PFC Device Inc.	PFC
RHRG30120	文件：1.742 Mbytes Page：3 Pages	30Ampere,1200VoltSwitchModeSingleFastRecoveryEpitaxialDiode GENERALDESCRIPTION RHRG30120usingthelastestFREDFABprocess(planarpassivationpellet)withultrafastandsoftrecoverycharacteristics. PRODUCTFEATURE ·UltrafastRecoveryTime ·SoftRecoveryCharacteristics ·LowRecoveryLoss ·LowForwardVoltage ·HighSurgeCurrentCapability	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
RHRG30120	文件：31.8 Kbytes Page：3 Pages	30A,1200VHyperfastDiode TheRHRG30120isahyperfastdiodewithsoftrecoverycharacteristics(trr	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RHRG30120	文件：74.82 Kbytes Page：4 Pages	30A,1200VHyperfastDiode TheRHRG30120isahyperfastdiodewithsoftrecoverycharacteristics(trr	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
RHRG30120	文件：243.57 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRectifier FEATURES ?Highjunctiontemperaturecapability ?Lowforwardvoltage ?Highcurrentcapability ?Lowpowerloss,highefficiency ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Switchingpowersupply ?Free-Wheelingdiodes ?Reverse	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
RHRG30120	文件：372.21 Kbytes Page：2 Pages	HyperfastDiode FEATURES ·Highjunctiontemperaturecapability ·Lowforwardvoltage ·Highcurrentcapability ·Lowpowerloss,highefficiency APPLICATIONS ·Switchingpowersupply ·Free-Wheelingdiodes ·Reversebatteryprotection ·Centertapconfiguration	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
RHRG30120CC	文件：32.68 Kbytes Page：3 Pages	30A,1200VHyperfastDualDiode TheRHRG30120CCisahyperfastdualdiodewithsoftrecoverycharacteristics(trr	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RHRP30120	文件：31.38 Kbytes Page：3 Pages	30A,1200VHyperfastDiode TheRHRP30120isahyperfastdiodewithsoftrecoverycharacteristics(trr	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RHRP30120	文件：74.96 Kbytes Page：4 Pages	30A,1200VHyperfastDiode TheRHRP30120isahyperfastdiodewithsoftrecoverycharacteristics.Ithasthehalfrecoverytimeofultrafastdiodesandissiliconnitridepassivatedionimplantedepitaxialplanarconstruction.Thesedevicesareintendedtobeusedasfreewheeling/clampingdiodesanddiodesinavarietyofs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
RHRP30120	文件：1.84289 Mbytes Page：3 Pages	30.0AmpereSwitchModeSingleFastRecoveryEpitaxialDiode PRODUCTFEATURE ?UltrafastRecoveryTime ?SoftRecoveryCharacteristics ?LowRecoveryLoss ?LowForwardVoltage ?HighSurgeCurrentCapability ?LowLeakageCurrent APPLICATION ?Freewheeling,Snubber,Clamp ?InversionWelder ?PFC ?PlatingPowerSupply ?UltrasonicCleanerand	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
RHRP30120	文件：908.98 Kbytes Page：5 Pages	30A,1200V,HyperfastDiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
RHRP30120	文件：352.24 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRectifier FEATURES ·Ultrafastrecoverytime ·PopularTO-220package ·Softrecoverycharacteristics ·Lowforwardvoltage ·Lowleakagecurrent ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·SwitchingPowerSupplies ·PowerSwitchingCircuits ·Genera	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
RHRP30120U	文件：1.72753 Mbytes Page：3 Pages	30.0AmpereSwitchModeUltrafastRecoveryEpitaxialDiode PRODUCTFEATURE ?UltrafastRecoveryTime ?SoftRecoveryCharacteristics ?LowRecoveryLoss ?LowForwardVoltage ?HighSurgeCurrentCapability ?LowLeakageCurrent APPLICATION ?Freewheeling,Snubber,Clamp ?InversionWelder ?PFC ?PlatingPowerSupply ?UltrasonicCleanerand	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
RU30120L	文件：283.34 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 銳駿半導(dǎo)體深圳銳駿半導(dǎo)體股份有限公司	RUICHIPS
RU30120L	文件：1.86399 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
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RU30120S	文件：329.03 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 銳駿半導(dǎo)體深圳銳駿半導(dǎo)體股份有限公司	RUICHIPS
RUH30120M	文件：390.94 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 銳駿半導(dǎo)體深圳銳駿半導(dǎo)體股份有限公司	RUICHIPS
RUH30120M	文件：1.12052 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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深圳市仟禧電子有限公司	PTR30120SFMOS(場效應(yīng)管)	PFC/節(jié)能元件	22+	TO-220F	20000	深圳原裝現(xiàn)貨正品有單價(jià)格可談	詢價(jià)
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更多PTR30120CTI供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-1 11:00:00

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