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PTFB201402FCV1R250XTMA1

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor

Description ThePTFB201402FCintegratestwo70WLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.ItisdesignedprimarilyforDohertycellularamplifierapplicationsinthe2010to2025MHzfrequencyband.ManufacturedwithInfineon’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermal

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    PTFB201402FCV1R250XTMA1

  • 功能描述:

    射頻MOSFET電源晶體管

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 頻率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 輸出功率:

    100 W

  • 封裝/箱體:

    NI-780-4

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多PTFB201402FCV1R250XTMA1供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-9 10:18:00