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PTFB191501F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTFB191501F
廠商型號

PTFB191501F

參數(shù)屬性

PTFB191501F 封裝/外殼為2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF LDMOS 150W H37248-2

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 1930 ??1990 MHz
FET RF LDMOS 150W H37248-2

封裝外殼

2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

文件大小

295.43 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-7 18:34:00

PTFB191501F規(guī)格書詳情

PTFB191501F屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFB191501F晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PTFB191501FV1XWSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.99GHz

  • 增益:

    18dB

  • 功率 - 輸出:

    150W

  • 封裝/外殼:

    2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-37248-2

  • 描述:

    FET RF LDMOS 150W H37248-2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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