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PTFA192001F

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 1930-1990 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTFA192001F V4 R250

Package:2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTFA192001FV4FWSA1

Package:2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTFA192001E

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTFA192001E

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs200W,1930-1990MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數

  • 型號:

    PTFA192001F

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 1930-1990 MHz

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INF
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Infineon Technologies
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更多PTFA192001F供應商 更新時間2025-3-26 15:30:00