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PTFA080551E分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PTFA080551E |
| 參數(shù)屬性 | PTFA080551E 封裝/外殼為H-36265-2；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 55 W, 869 ??960 MHz |
| 封裝外殼 | H-36265-2 |
| 文件大小 |
233.55 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-3 22:59:00 |
| 人工找貨 | PTFA080551E價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
PTFA080551E規(guī)格書詳情
PTFA080551E屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA080551E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PTFA080551E V1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
960MHz
- 增益：
18.5dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
55W
- 封裝/外殼：
H-36265-2
- 供應商器件封裝：
H-36265-2
- 描述：
IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
23+ |
標準封裝 |
7418 |
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詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
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INFINEON |
2018+ |
NI-787 |
6000 |
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INFINEON/英飛凌 |
24+ |
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INFINEON |
23+ |
NA |
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Infineon(英飛凌) |
23+ |
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INFINEON |
08+ |
SMD |
25 |
原裝 |
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INFINEON |
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INFINEON/英飛凌 |
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INFINEON/英飛凌 |
21+ |
H36265 |
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詢價 |
