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PTF210451E

LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz

Description ThePTF210451isa45WinternallymatchedGOLDMOSFETintendedforWCDMAapplicationsfrom2110to2170MHz.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features ?Internalmatchingforwidebandperformance ?Typicaltwo–carrierWCDMAperformance

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTF210451E

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

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PTF210451E V1

包裝:托盤 封裝/外殼:2-扁平封裝,葉片引線 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2

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PTF210451

LDMOSRFPowerFieldEffectTransistor45W,2110-2170MHz

Description ThePTF210451isa45WinternallymatchedGOLDMOSFETintendedforWCDMAapplicationsfrom2110to2170MHz.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features ?Internalmatchingforwidebandperformance ?Typicaltwo–carrierWCDMAperformance

InfineonInfineon Technologies AG

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PTF210451F

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs45W,2010??2025MHzand2110??2170MHz

InfineonInfineon Technologies AG

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PTFA210451E

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs45W,2010??2025MHzand2110??2170MHz

InfineonInfineon Technologies AG

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詳細參數(shù)

  • 型號:

    PTF210451E

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
2019+
SMD
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INFINEON/英飛凌
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INFINEON/英飛凌
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500
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更多PTF210451E供應(yīng)商 更新時間2024-11-1 10:20:00