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PTF191601F

Thermally-Enhnaced High Power RF LDMOS FETs 160 W, 1930-1990 MHz

Description ThePTF191601EandPTF191601Fare160-watt,internally-matchedGOLDMOSFETsintendedforGSMEDGEandCDMAapplicationsinthe1930to1990MHzband.Thermally-enhancedpackagingprovidesthecoolestoperationavailable.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandre

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTF191601

LDMOSRFPowerFieldEffectTransistor160W,1930-1990MHz

Description ThePTF191601isa160W,internallymatchedGOLDMOSFETintendedforGSMandEDGEapplicationsinthe1930to1990MHzband.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features ?Broadbandinternalmatching ?TypicalEDGEperformance -Averageo

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTF191601E

Thermally-EnhnacedHighPowerRFLDMOSFETs160W,1930-1990MHz

Description ThePTF191601EandPTF191601Fare160-watt,internally-matchedGOLDMOSFETsintendedforGSMEDGEandCDMAapplicationsinthe1930to1990MHzband.Thermally-enhancedpackagingprovidesthecoolestoperationavailable.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandre

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTF191601E

LDMOSRFPowerFieldEffectTransistor160W,1930-1990MHz

Description ThePTF191601isa160W,internallymatchedGOLDMOSFETintendedforGSMandEDGEapplicationsinthe1930to1990MHzband.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features ?Broadbandinternalmatching ?TypicalEDGEperformance -Averageo

InfineonInfineon Technologies AG

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    PTF191601F

  • 制造商：

    INFINEON

  • 制造商全稱(chēng)：

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述：

    Thermally-Enhnaced High Power RF LDMOS FETs 160 W, 1930-1990 MHz

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON
23+
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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INFINEON
23+
7000
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INFINEON/英飛凌
23+
Description
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原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
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TO-59
8510
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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更多PTF191601F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-25 15:00:00

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