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PTF180101M

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 1.0 ??2.0 GHz

Description ThePTF180101Misanunmatched10-wattGOLDMOS?FETintendedforclassABbasestationapplicationsinthe1to2GHzband.ThisLDMOSdeviceoffersexcellentgain,efficiencyandlinearityperformanceinasmallfootprint. Features ?TypicalEDGEperformance -Averageoutputpo

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PTF180101M V1

Package：10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）；包裝：帶 類別：分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10

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PTF180101

LDMOSRFPowerFieldEffectTransistor10W,1805-1880MHz,1930-1990MHz10W,2110-2170MHz

Description ThePTF180101isa10W,internally–matchedGOLDMOSFETdeviceintendedforEDGEapplicationsintheDCS/PCSband.Fullgoldmetallization ensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features ?TypicalEDGEperformance -Averageoutputpower=4.0W -Gain=19.0dB

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PTF180101S

LDMOSRFPowerFieldEffectTransistor10W,1805-1880MHz,1930-1990MHz10W,2110-2170MHz

Description ThePTF180101isa10W,internally–matchedGOLDMOSFETdeviceintendedforEDGEapplicationsintheDCS/PCSband.Fullgoldmetallization ensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features ?TypicalEDGEperformance -Averageoutputpower=4.0W -Gain=19.0dB

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PTF180101S

LDMOSRFPowerFieldEffectTransistor10W,1805-1880MHz,1930-1990MHz10W,2110-2170MHz

Description ThePTF180101isa10W,internally–matchedGOLDMOSFETdeviceintendedforEDGEapplicationsintheDCS/PCSband.Fullgoldmetallization ensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features ?TypicalEDGEperformance -Averageoutputpower=4.0W -Gain=19.0dB

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詳細參數

  • 型號：

    PTF180101M

  • 制造商：

    INFINEON

  • 制造商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述：

    High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10W,1.0-2.0 GHz

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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9000
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24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務
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更多PTF180101M供應商 更新時間2025-2-16 14:32:00

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