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PTF140451E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTF140451E
廠商型號(hào)

PTF140451E
參數(shù)屬性

PTF140451E 封裝/外殼為2-扁平封裝，葉片引線；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC FET RF LDMOS 45W H-30265
功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 1450 - 1550 MHz
IC FET RF LDMOS 45W H-30265
封裝外殼

2-扁平封裝，葉片引線
文件大小

106.6 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-24 23:01:00
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PTF140451E規(guī)格書詳情

PTF140451E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTF140451E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PTF140451E V1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 系列：

    GOLDMOS?

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.5GHz

  • 增益：

    18dB

  • 額定電流（安培）：

    1μA

  • 功率 - 輸出：

    45W

  • 封裝/外殼：

    2-扁平封裝，葉片引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    H-30265-2

  • 描述：

    IC FET RF LDMOS 45W H-30265

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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