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PTF10052中文資料愛立信數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PTF10052
廠商型號

PTF10052

功能描述

35 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor

文件大小

498.65 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Ericsson Microelectronics
企業(yè)簡稱

Ericsson愛立信

中文名稱

愛立信官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-1 11:38:00

PTF10052規(guī)格書詳情

Description

The PTF 10052 is a 35 Watt LDMOS FET intended for large signal amplifier applications to 1.0 GHz. It operates at 55 efficiency and 13.5 dB of gain. Nitride surface passivation and full gold metallization ensure excellent device lifetime and reliability.

? Performance at 960 MHz, 28 Volts

- Output Power = 35 Watts

- Power Gain = 13.5 dB Typ

- Efficiency = 55 Typ

? Full Gold Metallization

? Silicon Nitride Passivated

? Back Side Common Source

? 100 Lot Traceability

? Available in Package 20222 as PTF 10007

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PTF10052

  • 功能描述:

    射頻放大器 RF LDMOS Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 類型:

    Low Noise Amplifier

  • 工作頻率:

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB:

    18.5 dBm

  • 輸出截獲點:

    37.5 dBm

  • 功率增益類型:

    32 dB

  • 噪聲系數(shù):

    0.85 dB

  • 工作電源電壓:

    5 V

  • 電源電流:

    125 mA

  • 測試頻率:

    2.6 GHz

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    QFN-16

  • 封裝:

    Reel

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