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PTF080101分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTF080101
廠商型號

PTF080101

參數(shù)屬性

PTF080101 封裝/外殼為H-32259-2;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 960MHZ H-32259-2

功能描述

LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ
FET RF 65V 960MHZ H-32259-2

封裝外殼

H-32259-2

文件大小

64.14 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-19 20:46:00

PTF080101規(guī)格書詳情

PTF080101屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTF080101晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The PTF080101 is a 10 W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

Features

? Broadband internal matching

? Typical EDGE performance

- Average output power = 4.0 W

- Gain = 19 dB

- Efficiency = 31

? Typical CW performance

- Output power at P–1dB = 13 W

- Gain = 18 dB

- Efficiency = 55

? Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 1 (minimum)

? Excellent thermal stability

? Low HCI drift

? Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 10 W (CW) output power

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PTF080101S V1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GOLDMOS?

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz

  • 增益:

    18.5dB

  • 額定電流(安培):

    1μA

  • 功率 - 輸出:

    10W

  • 封裝/外殼:

    H-32259-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-32259-2

  • 描述:

    FET RF 65V 960MHZ H-32259-2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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