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PTAC210802FC

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTAC210802FC

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 1805 ??2170 MHz

CreeCree, Inc

科銳科銳半導(dǎo)體制造商

PTAC210802FC

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTAC210802FC_16

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTAC210802FCV1R0

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTAC210802FCV1R0XTMA1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTAC210802FCV1R250

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTAC210802FCV1R250XTMA1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTAC210802FC-V1-R0

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:H-37248-4 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:IC AMP RF LDMOS H-37248-4

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

PTAC210802FC-V1-R250

包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:IC AMP RF LDMOS

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

PTAC210802FCV1XWSA1

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:IC AMP RF LDMOS

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
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更多PTAC210802FC供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-26 10:30:00