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PS11013	文件：414.27 Kbytes Page：6 Pages	Application Specific Intelligent Power Module FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE INTEGRATEDFUNCTIONSANDFEATURES ?Converterbridgefor3phaseAC-to-DCpowerconversion. ?Circuitfordynamicbrakingofmotorregenerativeenergy. ?3-phaseIGBTinverterbridgeconfiguredbythelatest3rd.generationIGBTanddiodetechnology. INTEGRATEDDRIVE,PROTECTIONANDSYSTEMCON	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
PS11013	文件：407.36 Kbytes Page：6 Pages	FLAT-BASE TYPE INSULATED TYPE INTEGRATEDFUNCTIONSANDFEATURES ?Converterbridgefor3phaseAC-to-DCpowerconversion. ?Circuitfordynamicbrakingofmotorregenerativeenergy. ?3-phaseIGBTinverterbridgeconfiguredbythelatest3rd.generationIGBTanddiodetechnology. INTEGRATEDDRIVE,PROTECTIONANDSYSTEMCON	POWEREX Powerex Power Semiconductors	POWEREX
PS11013	文件：254.53 Kbytes Page：3 Pages	Patch Lead - CAT 5E PatchLead-CAT5E ElectricalTest 100openshortandmisswiretest	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
PS11013	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：40-PowerDIP 模塊（2.835"，72.00mm），33 引線類別：分立半導體產(chǎn)品功率驅(qū)動器模塊描述：MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 8A	PowerexIncPowerex, Inc 鑫鴻鑫鴻電子	PowerexInc
11013	文件：401.4 Kbytes Page：1 Pages	TESTJACKS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
11013	文件：105.12 Kbytes Page：1 Pages	PVCandNylonLEDSpacers	HeycoHeyco. 海科	Heyco
11013-R	文件：401.4 Kbytes Page：1 Pages	TESTJACKS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
AC11013	文件：132.2 Kbytes Page：5 Pages	DUAL4INPUTNANDSCHMITTTRIGGER DESCRIPTION The74AC/ACT11013high-performanceCMOSdevicescombineveryhighspeedandhighoutputdrivecomparabletothemostadvancedTTLfamilies.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
ACE11013A	文件：348.55 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACT11013	文件：132.2 Kbytes Page：5 Pages	DUAL4INPUTNANDSCHMITTTRIGGER DESCRIPTION The74AC/ACT11013high-performanceCMOSdevicescombineveryhighspeedandhighoutputdrivecomparabletothemostadvancedTTLfamilies.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
L-11013	文件：26.47 Kbytes Page：1 Pages	CURRENTSENSEINDUCTORS	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
LHA11013C	文件：1.34815 Mbytes Page：2 Pages	COMMONMODECHOKECOIL FEATURES\| ?Excellentfrequencycharacteristics.\| ?Useofinsulatingmaterialhavingsuperiorflame\| resistance\| ?Availableeitherverticalmountingtype,orhorizontal\| mountingtype.\| APPLICATIONS\| @?Personalcomputersandperipherals.\| @Digitalequipments.\| ?Switching	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
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LSA11013P	文件：1.34815 Mbytes Page：2 Pages	COMMONMODECHOKECOIL FEATURES\| ?Excellentfrequencycharacteristics.\| ?Useofinsulatingmaterialhavingsuperiorflame\| resistance\| ?Availableeitherverticalmountingtype,orhorizontal\| mountingtype.\| APPLICATIONS\| @?Personalcomputersandperipherals.\| @Digitalequipments.\| ?Switching	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
MJ11013	文件：96.68 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ..designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. FEATURES: HighGainDarlingtonPerformance HighDCCurrentGainhFE=1000(Min)@lc=20A *MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MJ11013	文件：15.53 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedTO3	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
MJ11013	文件：53.51 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-90V(Min.) ?HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min.)@IC=-20A ?LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=-3.0V(Max.)@IC=-20A ?ComplementtoTypeMJ11014 APPLICATIONS ?Designedforuseasoutputdevicesincomplementary	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MJ11013	文件：157.15 Kbytes Page：4 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON High-CurrentComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighDCCurrentGain—hFE=1000(Min)@IC–20Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt–inBaseEmitterShuntResistor ?JunctionTemperatureto+200°C	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MJ11013	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistors PowerTransistors TO-3Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體	Central

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
PS11013
制造商：
Powerex Inc.
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動器模塊
包裝：
管件
類型：
IGBT
配置：
3 相
電壓 - 隔離：
2500Vrms
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
40-PowerDIP 模塊（2.835"，72.00mm），33 引線
描述：
MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 8A

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市賽爾通科技有限公司	PS11013	PIM	23+		650		詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	PS11013	MITSUBISHI/三菱	12+	MODULE	1290	主打模塊,大量現(xiàn)貨供應商QQ2355605126	詢價
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深圳市一線半導體有限公司	PS11013	MIT	24+		120		詢價
深圳市勤思達科技有限公司	PS11013	三菱			100	原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)惠	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	PS11013	MITSUBISHI	23+	NA	25060	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	PS11013	MITSUBISHI/三菱	1950+		980	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價
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更多PS11013供應商更新時間2024-12-24 11:29:00

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