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PPNHZ52F120A中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PPNHZ52F120A
廠商型號(hào)

PPNHZ52F120A

功能描述

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件大小

102.84 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-7 18:34:00

PPNHZ52F120A規(guī)格書詳情

Features

? Rugged polysilicon gate cell structure

? high current handling capability, latch-proof

? Hermetically sealed package

? Low package inductance

? Very low thermal resistance

? Reverse polarity available upon request: PPNH(G)Z52F120B

? high frequency IGBT, low switching losses

? anti-parallel FREDiode (PPNHZ52F120A only)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PPNHZ52F120A

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 52A 3PIN TO-258 - Bulk

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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