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PMPB12R5UPE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMPB12R5UPE
廠商型號

PMPB12R5UPE

功能描述

20 V, P-channel Trench MOSFET

絲印標識

ZS

封裝外殼

SOT1220-2

文件大小

317.25 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-22 15:05:00

PMPB12R5UPE規(guī)格書詳情

1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power

DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Low threshold voltage

? Trench MOSFET technology

? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm

? Exposed drain pad for excellent thermal conduction

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2000 V HBM (class H2)

3. Applications

? Charging switch for portable devices

? DC-to-DC converters

? Power management in battery-driven portable devices

? Hard disk and computing power management

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEXPERIA/安世
23+
SOT1220
54258
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NXP
22+
SOP
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6-UDFN 裸露焊盤
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DFN2020MD
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DFN2020MD
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ADI
23+
DFN2020MD
7000
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NEXPERIA
23+
DFN2020MD-6
51000
原裝正品現(xiàn)貨
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NXP/恩智浦
22+
DFN2020MD
9000
原裝正品
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NXP
22+
6UDFN
9000
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NXP/恩智浦
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DFN2020MD
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