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PMPB10XNEA

20 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020MD-6(SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtechnology ?Sidewe

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安世安世半導體(中國)有限公司

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更多PMPB10XNEA供應商 更新時間2025-1-4 10:34:00

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