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PMN120ENE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMN120ENE
廠商型號

PMN120ENE

功能描述

60 V, N-channel Trench MOSFET

絲印標識

3K

封裝外殼

SOT457

文件大小

270.58 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-29 17:10:00

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PMN120ENE規(guī)格書詳情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-

Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Trench MOSFET technology

? Logic-level compatible

? Very fast switching

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? Low-side loadswitch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEXPERIA
23+
SOT457
57000
原裝正品現(xiàn)貨
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