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PMGD400UN中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMGD400UN
廠商型號

PMGD400UN

功能描述

Dual N-channel mTrenchMOS? ultra low level FET

文件大小

213.32 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-26 15:50:00

PMGD400UN規(guī)格書詳情

1.1 Description

Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS? technology.

1.2 Features

1.3 Applications

n Surface mounted package n Footprint 40 smaller than SOT23

n Dual device n Fast switching

n Low on-state resistance n Low threshold voltage.

n Driver circuits n Switching in portable appliances.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PMGD400UN

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    MOSFET NN CH 30V 0.71A SOT363

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
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