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PMEG3010EGW-Q

30 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifier

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotectionencapsulatedina smallSOD123Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Forwardcurrent:IF≤1A ?Reversevoltage:VR≤30V ?Lowforwardvoltage

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMEG3010EH

LowVCEsat(BISS)transistors

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飛利浦荷蘭皇家飛利浦

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1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifiers

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PMEG3010EH

1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifiers

1.1Generaldescription PlanarMaximumEfficiencyGeneralApplication(MEGA)Schottkybarrierrectifierswithan integratedguardringforstressprotection,encapsulatedinsmallSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackages. 1.2Features nForwardcurrent:IF￡1A nReversevoltage:VR￡

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飛利浦荷蘭皇家飛利浦

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恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PMEG3010EJ

1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifiers

1.1Generaldescription PlanarMaximumEfficiencyGeneralApplication(MEGA)Schottkybarrierrectifierswithan integratedguardringforstressprotection,encapsulatedinsmallSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackages. 1.2Features nForwardcurrent:IF￡1A nReversevoltage:VR￡

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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1AlowVFMEGASchottkybarrierrectifier

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恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

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30V,1AlowVFSchottkybarrierrectifier

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Averageforwardcurrent:IF(AV)≤1A ?Reversevoltage:VR≤3

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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