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PMDXB950UPE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMDXB950UPE
廠商型號

PMDXB950UPE

功能描述

20 V, dual P-channel Trench MOSFET

文件大小

732.4 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-5 23:00:00

PMDXB950UPE規(guī)格書詳情

1. General description

Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small

DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Trench MOSFET technology

? Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm

? Exposed drain pad for excellent thermal conduction

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM

? Drain-source on-state resistance RDSon = 1.02 Ω

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? High-side load switch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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