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PMDXB590UPE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMDXB590UPE
廠商型號(hào)

PMDXB590UPE

功能描述

20 V, dual P-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

D

封裝外殼

SOT1216

文件大小

299.42 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-4-10 23:00:00

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PMDXB590UPE規(guī)格書詳情

1. General description

Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small

DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET

technology.

2. Features and benefits

? Low threshold voltage

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

? ElectroStatic Discharge (ESD) protection typically > 2 kV HBM

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? High-side load switch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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