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PMDPB85UPE中文資料安世數(shù)據手冊PDF規(guī)格書

PMDPB85UPE
廠商型號

PMDPB85UPE

功能描述

20 V dual P-channel Trench MOSFET

文件大小

1.47554 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網

原廠標識
數(shù)據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-17 23:00:00

PMDPB85UPE規(guī)格書詳情

1.1 General description

Dual small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a

leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package using Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

? Low threshold voltage

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

? 2 kV ElectroStatic Discharge (ESD)

protection

1.3 Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? High-side load switch

? Switching circuits

產品屬性

  • 型號:

    PMDPB85UPE

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    MOSFET DUAL P-CH 20V DFN2020

  • 功能描述:

    MOSFET, DUAL P-CH, 20V, DFN2020

  • 功能描述:

    MOSFET, DUAL P-CH, 20V, DFN2020, Transistor

  • Polarity:

    Dual P Channel, Continuous Drain Current

  • Id:

    -3.7A, Drain Source Voltage

  • Vds:

    -20V, On Resistance

  • Rds(on):

    0.082ohm, Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    -4.5V, Threshold Voltage

  • Vgs:

    -700mV, , RoHS

  • Compliant:

    Yes

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