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PH3135-20M

Radar Pulsed Power Transistor, 20W,100ms Pulse,10 Duty 3.1-3.5 GHz

Features ?NPNSiliconMicrowavePowerTransistors ?CommonBaseConfiguration ?BroadbandClassCOperation ?HighEfficiencyInterdigitatedGeometry ?DiffusedEmitterBallastingResistors ?GoldMetallizationSystem ?InternalInputandOutputImpedanceMatching ?HermeticMetal/Ceramic

MACOM

Tyco Electronics

PH3135-20M

Radar Pulsed Power Transistor 20W, 3.1-3.5 GHz, 100關(guān)s Pulse, 10 Duty

Features ?NPNsiliconmicrowavepowertransistors ?Commonbaseconfiguration ?BroadbandClassCoperation ?Highefficiencyinter-digitizedgeometry ?Diffusedemitterballastingresistors ?Goldmetallizationsystem ?Internalinputandoutputimpedancematching ?Hermeticmetal/cerami

MA-COM

M/A-COM Technology Solutions, Inc.

PH3135-20M

Radar Pulsed Power Transistor

MA-COM

M/A-COM Technology Solutions, Inc.

PH3135-20M

包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 65V

MACOM

Tyco Electronics

PH3135-20M_15

Radar Pulsed Power Transistor

MA-COM

M/A-COM Technology Solutions, Inc.

PH3135-20M_17

Radar Pulsed Power Transistor

MA-COM

M/A-COM Technology Solutions, Inc.

BLS3135-20

Microwavepowertransistor

DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialmicrowavepowertransistorina2-leadrectangularflangepackagewithaceramiccap(SOT422A)withthecommonbaseconnectedtotheflange. FEATURES ?Suitableforshortandmediumpulseapplications ?Internalinputandoutputmatchingnetworksforan

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    PH3135-20M

  • 制造商：

    MACOM Technology Solutions

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    65V

  • 增益：

    7.5dB

  • 功率 - 最大值：

    20W

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    2.4A

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 描述：

    RF TRANS NPN 65V

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更多PH3135-20M供應(yīng)商 更新時間2024-11-5 14:32:00

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