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PM6003	文件：648.03 Kbytes Page：1 Pages	PMSERIESPOWERSUPPLYUNITS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
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PR6003	文件：62.6 Kbytes Page：2 Pages	6.0AFASTRECOVERYRECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●FastSwitchingforHighEfficiency ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRatingto300APeak ●LowReverseLeakageCurrent ●LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
PR6003	文件：679.1 Kbytes Page：1 Pages	6AMPFASTRECOVERYRECTIFIER FEATURES ●Ratingto1000VPRV ●Lowcost ●Diffusedjunction ●Lowforwardvoltagedrop ●Highcurrentcapability ●Easilycleanedwithfreon,alcohol,chlorotheneandsimilarsolvents ●ULrecognition94V-0plasticmaterial	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
PR6003	文件：41.1 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-6.0Amperes FEATURES ●Fastswitchingforhighefficiency ●Lowcost ●Diffusedjunction ●Lowreverseleakagecurrent ●Lowforwardvoltagedrop ●Highcurrentcapability ●TheplasticmaterialcarriesULrecognition94V-0	CTC ctconline	CTC
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PR6003	文件：132.7 Kbytes Page：2 Pages	6.0AFASTRECOVERYDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
PR6003	文件：95.32 Kbytes Page：3 Pages	6.0AFASTRECOVERYRECTIFIER Features DiffusedJunction FastSwitchingforHighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop SurgeOverloadRatingto300APeak LowReverseLeakageCurrent LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4) MechanicalData Case:R-6 CaseMaterial:MoldedPlastic.UL	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
PR6003G	文件：133.32 Kbytes Page：2 Pages	6.0AGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
PR6003-T	文件：97.78 Kbytes Page：3 Pages	6.0AFASTRECOVERYRECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
PR6003-T	文件：95.32 Kbytes Page：3 Pages	6.0AFASTRECOVERYRECTIFIER Features DiffusedJunction FastSwitchingforHighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop SurgeOverloadRatingto300APeak LowReverseLeakageCurrent LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4) MechanicalData Case:R-6 CaseMaterial:MoldedPlastic.UL	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
PSM-6003	文件：159.04 Kbytes Page：1 Pages	PROGRAMMABLEDUAL-RANGED.C.POWERSUPPLY	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 固緯電子固緯電子實(shí)業(yè)股份有限公司	GWINSTEK
PT6003	文件：517.258 Kbytes Page：10 Pages	3串鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)芯片	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 PDF上傳者：深圳市鑫順祥科技有限公司	ETC
PTC6003	文件：344.75 Kbytes Page：3 Pages	NPNDarlingtonTransistors NPNDarlingtonTransistorsTO-204MA(TO-3)	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
QM6003	文件：326.26 Kbytes Page：5 Pages	Fits7/8(22mm)diameterholes	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
QM6003F	文件：910.66 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
QRL6003PT	文件：80.24 Kbytes Page：4 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
RJP6003DPM	文件：110 Kbytes Page：9 Pages	600V-20A-IGBTandDiodeHighSpeedPowerSwitching Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching tr=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RJQ6003DPM	文件：110 Kbytes Page：9 Pages	600V-20A-IGBTandDiodeHighSpeedPowerSwitching Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching tr=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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更多PF6003AS供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-17 13:38:00

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