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PESD12VS2UAT

DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package

FEATURES ·UnidirectionalESDprotectionofuptotwolines ·Common-cathodeconfiguration ·Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/20ms ·Lowclampingvoltage:V(CL)R=20VatIpp=18A ·Ultra-lowreverseleakagecurrent:IRM30kV ·IEC61000-4-2;lev

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安世安世半導體(中國)有限公司

PESD12VS2UAT

DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package

DESCRIPTION UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodesincommoncathodeconfigurationintheSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesagainstdamagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. FEATURES ?UnidirectionalESDprotectionofupt

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PESD12VS2UAT

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PESD12VS2UAT

DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package

DESCRIPTION UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodesincommoncathodeconfigurationintheSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesagainstdamagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. FEATURES ?UnidirectionalESDprotectionofupt

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PESD12VS2UQ

DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PESD12VS2UQ

DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package

Generaldescription UnidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinaSOT663ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectuptotwosignallinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. Features ■UnidirectionalE

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PESD12VS2UQ

DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PESD12VS2UQ

DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package

1.1Generaldescription UnidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinaSOT663ultra smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotect uptotwosignallinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Features 1.3Appl

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安世安世半導體(中國)有限公司

PESD12VS2UT

Solid-statesilicon-avalanchetechnology

Features ■300Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) ■Bidirectionalandunidirectionalconfigurations ■Solid-statesilicon-avalanchetechnology ■Lowclampingvoltage ■Lowleakagecurrent ■Lowcapacitance(Cj=60pFtyp.) ■Protectiontwodatalines ■IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair ■

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導體廣東友臺半導體有限公司

PESD12VS2UT

DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package

FEATURES ?Uni-directionalESDprotectionofuptotwolines ?Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/20μs ?Lowclampingvoltage:V(CL)R=20VatIpp=18A ?Ultra-lowreverseleakagecurrent:IRM23kV ?IEC61000-4-2;level4(ESD) ?IEC61000-4-5(su

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安世安世半導體(中國)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    PESD12VS2UAT T/R

  • 功能描述：

    TVS二極管陣列 12V DUAL ESD PROTECT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Littelfuse

  • 通道：

    4 Channels

  • 鉗位電壓：

    11.5 V

  • 工作電壓：

    2.5 V

  • 峰值浪涌電流：

    20 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 端接類型：

    SMD/SMT

  • 最小工作溫度：

    - 40 C

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP
24+
3000
詢價
NXP/恩智浦
23+
SOT-23
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
NXP/恩智浦
2022
SOT-23
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價
NXP
16+
SOT663
34300
鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠鋒牸鍙皥!
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NXP
23+
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18800
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!
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NXP/恩智浦
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SOT663
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NXP(恩智浦)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務做口碑有支持
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更多PESD12VS2UAT T/R供應商 更新時間2025-3-9 15:30:00

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