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PDTC115EMB分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTC115EMB
廠商型號

PDTC115EMB

參數屬性

PDTC115EMB 封裝/外殼為3-XFDFN;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3

功能描述

NPN resistor-equipped transistor; R1 = 100 k廓, R2 = 100 k廓
TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3

絲印標識

00110001

封裝外殼

DFN1006B-3 / 3-XFDFN

文件大小

955.98 Kbytes

頁面數量

12

生產廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-8-1 12:11:00

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PDTC115EMB規(guī)格書詳情

PDTC115EMB屬于分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置。由安世半導體(中國)有限公司制造生產的PDTC115EMB晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置預偏置雙極晶體管具有內部電阻器,設計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數量,從而可降低項目成本。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    PDTC115EMB,315

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    150mV @ 250μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-XFDFN

  • 供應商器件封裝:

    DFN1006B-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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