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PDTC114EM分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTC114EM
廠商型號(hào)

PDTC114EM

參數(shù)屬性

PDTC114EM 封裝/外殼為3-XFDFN;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3

功能描述

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k?, R2 = 10 k?

絲印標(biāo)識(shí)

DS

封裝外殼

SC-101 / 3-XFDFN

文件大小

1.3323 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-23 23:00:00

PDTC114EM規(guī)格書詳情

Features and benefits

? 100 mA output current capability

? Built-in bias resistors

? Simplifies circuit design

? Reduces component count

? Reduces pick and place costs

? AEC-Q101 qualified

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PDTC114EMB,315

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    150mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-XFDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DFN1006B-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NXP(恩智浦)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
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全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
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