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PDTB123YQA	文件：2.00194 Mbytes Page：22 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors 1.1Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3 (SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderable sidepads. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications Table1.Productoverview TypenumberR1R2Pac	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YQA	文件：1.96439 Mbytes Page：22 Pages	50V,500mANPNresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ??10resistorratiotolerance ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YQA	文件：2.00195 Mbytes Page：22 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ??10resistorratiotolerance ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YS	文件：75.37 Kbytes Page：10 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors Generaldescription 500mAPNPResistor-EquippedTransistors(RET)family. Features ■Built-inbiasresistors ■Reducescomponentcount ■Simplifiescircuitdesign ■Reducespickandplacecosts ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance Applications ■Digital	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTB123YS	文件：138.49 Kbytes Page：10 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=10k廓 Generaldescription 500mAPNPResistor-EquippedTransistors(RET)family. Features ■Built-inbiasresistors ■Reducescomponentcount ■Simplifiescircuitdesign ■Reducespickandplacecosts ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance Applications ■Digitalapp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PDTB123YS	文件：246.74 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YT	文件：75.37 Kbytes Page：10 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors Generaldescription 500mAPNPResistor-EquippedTransistors(RET)family. Features ■Built-inbiasresistors ■Reducescomponentcount ■Simplifiescircuitdesign ■Reducespickandplacecosts ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance Applications ■Digital	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTB123YT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTB123YT	文件：138.49 Kbytes Page：10 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=10k廓 Generaldescription 500mAPNPResistor-EquippedTransistors(RET)family. Features ■Built-inbiasresistors ■Reducescomponentcount ■Simplifiescircuitdesign ■Reducespickandplacecosts ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance Applications ■Digitalapp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PDTB123YT	文件：240.7 Kbytes Page：9 Pages	50V,500mAPNPresistor-equippedtransistor;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTD123YT 2.Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Reducespickandplacecosts ?Built-inbiasresistors ?±10re	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YT	文件：246.74 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YT-Q	文件：222.39 Kbytes Page：10 Pages	PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistor;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription 500mAPNPResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTD123YT-Q. 2.Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Reducespickandplacecosts ?Built-inbiasresistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YU	文件：3.64552 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance ■Built-inbiasresistors ■AEC-Q101qualified ■Simplifiescircuitd	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YU	文件：3.59374 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VNPNresistor-equippedtransistors Features ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ??10resistorratiotolerance ?AEC-Q101qualified ?Hightemperatureapplications upto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTB123YU	文件：3.64448 Mbytes Page：27 Pages	500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors Features ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ??10resistorratiotolerance ?AEC-Q101qualified ?Hightemperatureapplications upto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTC123	文件：50.48 Kbytes Page：8 Pages	NPNresistor-equippedtransistor DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandampl	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTC123E	文件：91.91 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2k-ohm,R2=2.2k-ohm	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTC123E	文件：188.96 Kbytes Page：14 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓 DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PDTC123E	文件：420.53 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTC123E_SERIES	文件：420.53 Kbytes Page：15 Pages	NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
PDTB123YK T/R
功能描述：
開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶體管極性：
NPN/PNP
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作頻率：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
50 V
集電極連續(xù)電流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多PDTB123YK T/R供應(yīng)商更新時間2025-1-7 15:00:00

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