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PDTB113ES

NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *500mAoutputcurrentcapability *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

PDTB113ES

PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k廓, R2 = 1 k廓

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PDTB113ES,126

Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線；包裝：剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產品 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置 描述：TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

PDTB113ET

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTB113ET

PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k廓,R2=1k廓

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PDTB113ET

PNP500mA,50Vresistor-equippedtransistor;R1=1kΩ,R2=1kΩ

Featuresandbenefits *500mAoutputcurrentcapability *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance *AEC-Q101qualified

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTB113ET

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1kΩ,R2=1kΩ

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *500mAoutputcurrentcapability *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTB113EU

500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■500mAoutputcurrentcapability ■±10resistorratiotolerance ■Built-inbiasresistors ■AEC-Q101qualified ■Simplifiescircuitd

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTB113EU

500mA,50VNPNresistor-equippedtransistors

Features ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ??10resistorratiotolerance ?AEC-Q101qualified ?Hightemperatureapplications upto175°C

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTB113EU

500mA,50VPNPresistor-equippedtransistors

Features ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ??10resistorratiotolerance ?AEC-Q101qualified ?Hightemperatureapplications upto175°C

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安世安世半導體(中國)有限公司

詳細參數

  • 型號：

    PDTB113ES

  • 功能描述：

    開關晶體管 - 偏壓電阻器 500 MA RET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
PHILIPS/飛利浦
1535+
19497
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PHILIPS
2023+
SMD
19497
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PHILIPS/飛利浦
23+
19497
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NXP
22+
NA
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NXP USA Inc.
2022+
TO-92-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
NXP USA Inc.
24+
TO-226-3 TO-92-3(TO-226AA)
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經營 免費試樣正品保證
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Nexperia
18+
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3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應
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Nexperia/安世
22+
SOT23
330000
原廠原裝正品現貨
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LINEAR/凌特
23+
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NEXPERIA/安世
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更多PDTB113ES供應商 更新時間2025-2-3 16:04:00

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