PDTA123EM分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PDTA123EM |
| 參數(shù)屬性 | PDTA123EM 封裝/外殼為3-XFDFN；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3 |
| 功能描述 | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓 |
| 封裝外殼 | 3-XFDFN |
| 文件大小 |
189.73 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-24 17:08:00 |
PDTA123EM規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details).
FEATURES
? Built-in bias resistors
? Simplified circuit design
? Reduction of component count
? Reduced pick and place costs.
APPLICATIONS
? General purpose switching and amplification
? Inverter and interface circuits
? Circuit driver.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
PDTA123EMB,315
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP - 預偏壓
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 20mA，5V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
150mV @ 500μA，10mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1μA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
3-XFDFN
- 供應(yīng)商器件封裝：
DFN1006B-3
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
SOT-89 |
90000 |
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Nexperia/安世 |
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SOT883B |
300000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
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NXP/恩智浦 |
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NXP/恩智浦 |
2022+ |
NA |
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NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT883 |
18000 |
原裝正品 |
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Nexperia |
2022+ |
原廠原包裝 |
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Nexperia(安世) |
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