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PDTA113ZT分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTA113ZT
廠商型號

PDTA113ZT

參數(shù)屬性

PDTA113ZT 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB

功能描述

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 10 kW

絲印標(biāo)識

AM

封裝外殼

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

236.59 Kbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-20 20:00:00

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PDTA113ZT規(guī)格書詳情

Features

* Built-in bias resistors

* Simplifies circuit design

* Reduces component count

* Reduces pick and place costs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PDTA113ZT,215

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    35 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    150mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB

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