PD57060S分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
PD57060S |
| 參數(shù)屬性 | PD57060S 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝為帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 |
| 功能描述 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| 文件大小 |
305.82 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
| 中文名稱 | 意法半導體集團官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-12-23 19:43:00 |
PD57060S規(guī)格書詳情
PD57060S屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的PD57060S晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
DESCRIPTION
The PD57060S is a common source N-Channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 28 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD57060S boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. PD57060S’s superior linearity performance makes it an ideal solution for base station applications.
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFETs
? EXCELLENT THERMAL STABILITY
? COMMON SOURCE CONFIGURATION
? POUT = 60 W with 14.3 dB gain @ 945 MHz / 28V
? NEW RF PLASTIC PACKAGE
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PD57060STR-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
945MHz
- 增益：
14.3dB
- 額定電流（安培）：
7A
- 功率 - 輸出：
60W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤
- 供應商器件封裝：
PowerSO-10RF（直引線）
- 描述：
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半導體 |
2023+ |
10RF-Straight-4 |
6000 |
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ST/意法半導體 |
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ST/意法半導體 |
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ST/意法半導體 |
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10RF-Straight-4 |
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