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PD54003S-E分立半導體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PD54003S-E
廠商型號

PD54003S-E
參數(shù)屬性

PD54003S-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻；產(chǎn)品描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
功能描述

RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
文件大小

1.53332 Mbytes
頁面數(shù)量

27 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體（ST）集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-9 9:24:00

PD54003S-E規(guī)格書詳情

PD54003S-E屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。意法半導體（ST）集團制造生產(chǎn)的PD54003S-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    PD54003S-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    500MHz

  • 增益：

    12dB

  • 額定電流（安培）：

    4A

  • 功率 - 輸出：

    3W

  • 封裝/外殼：

    PowerSO-10 裸露底部焊盤

  • 供應商器件封裝：

    PowerSO-10RF（直引線）

  • 描述：

    TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
STM
22+
NA
30000
100%全新原裝 假一賠十
 詢價
STMicro.
23+
PowerSO-10RF
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
ST(意法)
21+
N/A
5248
全新原裝虧本出
 詢價
ST(意法)
23+
N/A
589610
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23+
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23+
QFN
42
現(xiàn)貨庫存
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ST
22+
原廠原封
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ST
24+
NA
200000
原裝進口正口,支持樣品
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