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PCDD0865GB

Marking：CDD0865B；Package：TO-252AA；Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability CompetitiveVF1.3Vatratedcurrent LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard App

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

CD0865A

CeramicBallGridTerminationArrays

TTELECTT Electronics.

TT電子公司梯梯電子集成制造服務(蘇州)有限公司

CD0865A

Excellenthighfrequencyperformance

TTELECTT Electronics.

TT電子公司梯梯電子集成制造服務(蘇州)有限公司

CD0865B

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TTELECTT Electronics.

TT電子公司梯梯電子集成制造服務(蘇州)有限公司

CD0865B

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TTELECTT Electronics.

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FFSB0865A

SiliconCarbideSchottkyDiode

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FFSB0865A

SiliconCarbideSchottkyDiode650V,8A

Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FFSB0865B

SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiode–EliteSiC,8A,650V,D2,D2PAK-2L

SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSiliconCarbide

ONSEMION Semiconductor

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安森美半導體安森美半導體公司

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更多PCDD0865GB供應商 更新時間2025-3-17 11:06:00

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