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PBSS5130QA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PBSS5130QA
廠商型號(hào)

PBSS5130QA
參數(shù)屬性

PBSS5130QA 封裝/外殼為3-XDFN 裸露焊盤；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3
功能描述

30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
絲印標(biāo)識(shí)

001010
封裝外殼

DFN1010D-3 / 3-XDFN 裸露焊盤
文件大小

726.66 Kbytes
頁面數(shù)量

17 頁
生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-5-6 17:04:00
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PBSS5130QA規(guī)格書詳情

1. General description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small

DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible

and solderable side pads.

NPN complement: PBSS4130QA.

2. Features and benefits

? Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability IC and ICM

? High collector current gain hFE at high IC

? High energy efficiency due to less heat generation

? Reduced Printed-Circuit Board (PCB) area requirements

? Solderable side pads

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? Loadswitch

? Battery-driven devices

? Power management

? Charging circuits

? Power switches (e.g. motors, fans)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PBSS5130QAZ

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    240mV @ 100mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    130 @ 1A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    170MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-XDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DFN1010D-3

  • 描述：

    TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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