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PBSS4220V分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS4220V
廠商型號

PBSS4220V

參數(shù)屬性

PBSS4220V 封裝/外殼為SOT-563,SOT-666;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 20V 2A SOT666

功能描述

20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

文件大小

299.66 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-3 22:30:00

PBSS4220V規(guī)格書詳情

Features

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability: IC and ICM

* High collector current gain (hFE) at high IC

* High efficiency due to less heat generation

* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS4220V,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    350mV @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 1A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    210MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-563,SOT-666

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-666

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 2A SOT666

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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