PBSS4220V分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
PBSS4220V |
參數(shù)屬性 | PBSS4220V 封裝/外殼為SOT-563,SOT-666;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 20V 2A SOT666 |
功能描述 | 20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
文件大小 |
299.66 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
14 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企業(yè)簡稱 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-3 22:30:00 |
PBSS4220V規(guī)格書詳情
Features
* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
* High collector current capability: IC and ICM
* High collector current gain (hFE) at high IC
* High efficiency due to less heat generation
* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
PBSS4220V,115
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
350mV @ 200mA,2A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 1A,2V
- 頻率 - 躍遷:
210MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SOT-563,SOT-666
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-666
- 描述:
TRANS NPN 20V 2A SOT666
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
2020+ |
SOT-666 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
SOT666 |
354000 |
詢價 | |||
NXP(恩智浦) |
23+ |
9865 |
原裝正品,假一賠十 |
詢價 | |||
NXP |
SOT666 |
4000 |
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詢價 | |||
Nexperia(安世) |
23+ |
SOT-666-6 |
7087 |
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詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
21+ |
SOT666 |
13880 |
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詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
NA/ |
4000 |
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詢價 | ||
Nexperia(安世) |
23+ |
SOT6666 |
7350 |
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詢價 | ||
NXP |
1735+ |
SOT666 |
6528 |
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Nexperia USA Inc. |
24+ |
SOT-563 SOT-666 |
9350 |
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