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PBSS4220V分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS4220V
廠商型號

PBSS4220V
參數屬性

PBSS4220V 封裝/外殼為SOT-563，SOT-666；包裝為散裝；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN 20V 2A SOT666
功能描述

20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
封裝外殼

SOT-563，SOT-666
文件大小

119.51 Kbytes
頁面數量

13 頁
生產廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips【飛利浦】

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網
原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-31 20:00:00

PBSS4220V規(guī)格書詳情

General description

NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT666 Surface Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PBSS5220V.

Features

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability: IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ High efficiency due to less heat generation

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications

■ DC-to-DC conversion

■ MOSFET gate driving

■ Motor control

■ Charging circuits

■ Low power switches (e.g. motors, fans)

■ Portable applications

產品屬性

  • 產品編號：

    PBSS4220V,115

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    350mV @ 200mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 1A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    210MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-563，SOT-666

  • 供應商器件封裝：

    SOT-666

  • 描述：

    TRANS NPN 20V 2A SOT666

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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