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PBSS4112PANP中文資料恩智浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PBSS4112PANP
廠商型號(hào)

PBSS4112PANP

功能描述

120 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

文件大小

344.79 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

21 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-12 8:24:00

PBSS4112PANP規(guī)格書詳情

General description

NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN/NPN complement: PBSS4112PAN. PNP/PNP complement: PBSS5112PAP.

Features and benefits

? Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability IC and ICM

? High collector current gain hFE at high IC

? Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements

? High efficiency due to less heat generation

? AEC-Q101 qualified

Applications

? Load switch

? Battery-driven devices

? Power management

? Charging circuits

? Power switches (e.g. motors, fans)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PBSS4112PANP

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    TRANS NPN/PNP 120V 1A DFN2

  • 功能描述:

    TRANS, NPN/PNP, 120V, 1A, DFN2020-6; Transistor

  • Polarity:

    NPN, PNP; Collector Emitter Voltage

  • V(br)ceo:

    120V; Transition Frequency Typ

  • ft:

    120MHz; Power Dissipation

  • Pd:

    2W; DC Collector

  • Current:

    1A; DC Current Gain

  • hFE:

    30; Operating ;RoHS

  • Compliant:

    Yes

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