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PBSS3540E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PBSS3540E
廠商型號(hào)

PBSS3540E

參數(shù)屬性

PBSS3540E 封裝/外殼為SC-75,SOT-416;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 40V 0.5A SC75

功能描述

40 V, 500 mA PNP low VCEsat (BISS) transistor

絲印標(biāo)識(shí)

1T

封裝外殼

SC-75 / SC-75,SOT-416

文件大小

286.89 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-13 11:42:00

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PBSS3540E規(guī)格書詳情

Features

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability: IC and ICM

* High collector current gain (hFE) at high IC

* High efficiency due to less heat generation

* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PBSS3540E,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    350mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 100mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    300MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-75,SOT-416

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SC-75

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 0.5A SC75

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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