PBSS301NZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PBSS301NZ |
| 參數(shù)屬性 | PBSS301NZ 封裝/外殼為TO-261-4，TO-261AA；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 12V 5.8A SOT223 |
| 功能描述 | 12 V, 5.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 封裝外殼 | TO-261-4，TO-261AA |
| 文件大小 |
172.66 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-12 19:25:00 |
| 人工找貨 | PBSS301NZ價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PBSS301NZ規(guī)格書詳情
General description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS301PZ.
Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
Applications
■ DC-to-DC conversion
■ MOSFET gate driving
■ Motor control
■ Charging circuits
■ Power switches (e.g. motors, fans)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
PBSS301NZ,135
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
235mV @ 290mA，5.8A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 2A，2V
- 頻率 - 躍遷：
140MHz
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-261-4，TO-261AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-223
- 描述：
TRANS NPN 12V 5.8A SOT223
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA |
20+ |
SOT-223 |
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NEXPERIA/安世 |
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Nexperia USA Inc. |
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