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PBRN113ET

Marking：7G；Package：SOT23；40 V, 600 mA NPN PB RET; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ET 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBRN113ET

Marking：7G；Package：SOT23；NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *HighcurrentgainhFE *Reducescomponentcount *Built-inbiasresistors *Reducespickandplacecosts *Simplifiescircuitdesign *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBRN113ET

NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k?? R2 = 1 k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PBRN113ET-Q

Marking：7G；Package：SOT23；40 V, 600 mA NPN PB RET; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ET-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBRN113ET,215

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置 描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

PBRN113Z

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PBRN113Z

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBRN113Z_SER

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBRN113ZK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PBRN113ZK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導體(中國)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    PBRN113ET

  • 制造商：

    PHILIPS

  • 制造商全稱：

    NXP Semiconductors

  • 功能描述：

    NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k?, R2 = 1 k?

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Nexperia/安世
22+
SOT23
210000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
NEXPERIA/安世
2447
SOT23
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
 詢價
NXP
23+
SOT-423
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
NEXPERIA/安世
22+
SOT-23
50000
原裝正品.假一罰十
 詢價
NXP
1439+
SOT-423
810
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
NEXPERIA/安世
22+
SOT-23
10990
原裝正品
 詢價
NEXPERIA/安世
24+
SOT-23
210000
全新原裝現(xiàn)貨庫存
 詢價
NEXPERIA/安世
2023+
SOT-23
48000
AI智能識別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站
 詢價
NEXPERIA/安世
23+
SOT-23
89630
當天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
NXP
2023+
SOT-423
8800
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
 詢價
更多PBRN113ET供應商 更新時間2025-3-22 16:20:00

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