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PBPC303

3.0A BRIDGE RECTIFIER

Features ?HighCurrentCapability ?SurgeOverloadRatingto50APeak ?HighCaseDielectricStrengthof1500V ?IdealforPrintedCircuitBoardApplication ?ULListedUnderRecognizedComponentIndex,FileNumberE94661

DIODES

Diodes Incorporated

PBSS303ND

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS303ND

60V,3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBSS303ND-Q

60V,3ANPNlowVCEsattransistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT457(SC-74)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS303PD-Q 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highcollectorc

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBSS303NX

30V,5.1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT89(SC-62/TO-243)smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS303PX. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapabili

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS303NX

30V,5.1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBSS303NZ

30V,5.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBSS303NZ

30V,5.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBSS303NZ-Q

30V,5.5ANPNlowVCEsattransistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS303PZ-Q 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highcollectorc

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBSS303PD

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    PBPC303

  • 功能描述：

    橋式整流器 3.0A BRIDGE REC 50A 200V Vrrm 140 VR

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay

  • 產(chǎn)品：

    Single Phase Bridge

  • 峰值反向電壓：

    1000 V 最大 RMS

  • 正向連續(xù)電流：

    4.5 A

  • 最大浪涌電流：

    450 A

  • 正向電壓下降：

    1 V

  • 最大反向漏泄電流：

    10 uA

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 長(zhǎng)度：

    30.3 mm

  • 寬度：

    4.1 mm

  • 高度：

    20.3 mm

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    SIP-4

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Diodes Inc
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更多PBPC303供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-12 15:00:00

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